氮化钛真空镀膜工艺-半导体光刻-天河真空镀膜工艺

真空镀膜工艺——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。  

 pvd（physical vapor deition）即物理气相沉积，是当前国际上广泛应用的---的表面处理技术。其工作原理就是在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质部分离化，氮化硅真空镀膜工艺，在气体离子或被蒸发物质离子轰击作用的同时把蒸发物或其反应物沉积在基底上。它具有沉积速度快和表面清洁的特点，---具有膜层附着力强、绕射性好、可镀材料广泛等特点。

欢迎来电咨询半导体研究所了解更多真空镀膜工艺哟~

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较高的真空度可以---汽化分子的平均自由程大于蒸发源到基底的距离。由于气体分子的热运动，分子之间的碰撞也是极其频繁的，所以尽管气体分子运动的速度相当的高 ( 可达每秒几百米 ) ，但是由于它在前进的过程中要与其它分子多次碰撞， 一个分子在两次连续碰撞之间所走的距离被称为它的自由程， 而大量分子自由程的统计平均值就被称为分子的平均自由程。

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