湖北感应耦合等离子刻蚀材料刻蚀-半导体材料

感应耦合等离子刻蚀材料刻蚀——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

反应离子蚀刻

反应离子蚀刻（以下简称rie）使用了化学和物理反应来移除衬底表面的材料，它是能产生定向蚀刻的基本工艺

高度各向---的蚀刻工艺能够通过rie中伴随等离子化学反应蚀刻同时发生的带能离子轰击获得

rie工艺之所以能够获得高度各向---的蚀刻是因为朝向衬底轰击的离子受到了负偏置衬底的加速作用，同时衬底表面发生着高蚀刻速率的化学反应.

离子轰击的协同效应增加了化学反应的速率（帮助反应物获得能量离开衬底表面 被真空系统抽走）

在ar+离子束与xef2的共同作用下硅的蚀刻速率明显比单独使用ar+离子束或xef2气体的蚀刻速率要快

欢迎来电咨询半导体研究所了解更多感应耦合等离子刻蚀材料刻蚀~

感应耦合等离子刻蚀材料刻蚀——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

二氧化硅腐蚀机理为：

h2sif6（六）是可溶于水的络合物，感应耦合等离子刻蚀材料刻蚀加工，利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率，腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用hf、nh4f与纯水按一定比例配成缓冲液。

由于基区的氧化层较发射区的厚，感应耦合等离子刻蚀材料刻蚀加工工厂，以前小功率三极管的三次光刻（引线孔光刻）一般基极光刻和发射极光刻分步光刻，现在大部分都改为一步光刻，只有少部分品种还分步光刻，比如2xn003，2xn004，2xn013，2xp013等。但是由于基区的氧化层一般比发射区的厚，所以刻蚀时容易发生氧化区的侵蚀。

欢迎来电咨询半导体研究所了解更多感应耦合等离子刻蚀材料刻蚀~