山东氧化硅真空镀膜-半导体材料-氧化硅真空镀膜实验室

氧化硅真空镀膜mems真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，氧化硅真空镀膜实验室，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

可变参数

在溅射过程中，通过改变改变这些参数可以进行工艺的动态控制。这些可变参数包括:功率、速度、气体的种类和压强。

功率

每一个阴极都具有自己的电源。根据阴极的尺寸和系统设计，功率可以在0 ~ 150kw(标称值)之间变化。电源是一个恒流源。在功率控制模式下，功率固定同时监控电压，通过改变输出电流来维持恒定的功率。在电流控制模式下，固定并监控输出电流，这时可以调节电压。施加的功率越高，沉积速率就越大。

欢迎来电咨询半导体研究所哟~氧化硅真空镀膜

氧化硅真空镀膜mems真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

气体环境

真空系统和工艺气体系统共同控制着气体环境。

首先，真空泵将室体抽到一个高真空(大约为10-torr)。然后，由工艺气体系统(包括压强和流量控制调节器)充入工艺气体，将气体压强降低到大约2x10-3torr。为了---得到适当的同一膜层，工艺气体必须使用纯度为99.995%的高纯气体。在反应溅射中，在反应气体中混合少量的惰性气体(如)可以提高溅射速率。

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