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在rie工艺中，离子携带------衬底表面原子化学键的能量，离子的冲击降低了化学蚀刻反应所需的活化能，并提高了衬底表面中性物质的反应速率
在确定的蚀刻化学中，反应副产物会在表面形成并在化学时刻中起到抑制作用，
带能离子可以通过物理溅射将被副产物覆盖的下层材料暴露出来，以使其继续进行化学蚀刻反应
因此rie有时也被称为离子增强蚀刻或反应和离子蚀刻
离子轰击表面的高指向性产生了高度的各向---蚀刻
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干法腐蚀:干法刻蚀是通过等离子气与硅片发生物理或化学反应(或结合物理、化学两种反应)的方式将表面材料去除。
那什么是等离子体呢?
等离子体是完全或部分电离的气体离子，包括相同数量的正负电荷和不同数量的未电离分子组成。当足够大的电场加于气体并使其击穿和电离时，硅孔材料刻蚀服务价格，就产生了等离子体。
等离子体由自由电子触发，这些自由电子可以由加负偏压的电极发射或由其他方法产生。自由电子从电场获得动能，在穿过气体的运动过程中与气体分子碰撞而损失能量。在碰撞中转移的能量使得气体分子电离，产生自由电子。这些自由电子又从电场中获得动能，北京材料刻蚀服务价格，以上过程不断持续。
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二氧化硅腐蚀机理为：
h2sif6（六）是可溶于水的络合物，利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率，腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用hf、nh4f与纯水按一定比例配成缓冲液。
由于基区的氧化层较发射区的厚，以前小功率三极管的三次光刻（引线孔光刻）一般基极光刻和发射极光刻分步光刻，现在大部分都改为一步光刻，只有少部分品种还分步光刻，比如2xn003，2xn004，2xn013，2xp013等。但是由于基区的氧化层一般比发射区的厚，所以刻蚀时容易发生氧化区的侵蚀。
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北京材料刻蚀服务价格-半导体研究所(商家)由广东省科学院半导体研究所提供。广东省科学院半导体研究所是一家从事“深硅刻蚀,真空镀膜,磁控溅射,材料刻蚀,紫外光刻”的公司。自成立以来，我们坚持以“诚信为本，---经营”的方针，勇于参与市场的良性竞争，使“半导体”品牌拥有------。我们坚持“服务，用户”的原则，使半导体研究所在电子、电工产品加工中赢得了客户的---，树立了---的企业形象。 ---说明：本信息的图片和资料仅供参考，欢迎联系我们索取准确的资料，谢谢！
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