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nf 3在等离子体中解离以产生高反应性原子氟自由基。这些自由基与衬底中的硅反应生成 sif 4,这是一种可以被抽走的挥发性气体。以这种方式从衬底蚀刻硅。化学蚀刻与湿蚀刻一样,是一种没有方向性的各向同性工艺(图 5)。其原因是反应物质的粘附系数相对较低,因此与基材表面的大多数碰撞不会导致蚀刻,而是使反应物质简单解吸回气相。这种现象导致被蚀刻的特征内的蚀刻过程的平衡,并终导致蚀刻中的各向同性特征。
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半导体蚀刻设备市场概况
随着技术进步和晶圆蚀刻和沉积的转变,蚀刻设备市场正在经历---的增长。随着智能设备的发展,技术进步的增长正在推动为许多终用户行业服务。作为回应,感应耦合等离子刻蚀材料刻蚀版厂家,这引入了半导体行业的扩张,以推动对半导体介电蚀刻设备的需求。技术从生产---半导体从---到蚀刻技术的转变是推动市场增长的因素之一。此外,原子层蚀刻 (ale) 对用于算术处理和蚀刻多个原子层的逻辑器件的重要性的提高正在推动市场增长。对消费电子产品的日益重视是加速市场增长的主要因素之一。智能手机和其他消费品的应用越来越多,这也导致工艺设备支出增加,这是获得竞争优势的另一个因素。
然而,在智能设备需求放缓、存储芯片下降、库存问题等挑战下,半导体行业的放缓---了市场的增长。半导体存储器市场开始放缓,感应耦合等离子刻蚀材料刻蚀公司,导致半导体市场 dram 和 nand 交易的不确定性,因此供应商在一定程度上---了蚀刻设备的采用。
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反应离子蚀刻
反应离子蚀刻(以下简称rie)使用了化学和物理反应来移除衬底表面的材料,它是能产生定向蚀刻的基本工艺
高度各向---的蚀刻工艺能够通过rie中伴随等离子化学反应蚀刻同时发生的带能离子轰击获得
rie工艺之所以能够获得高度各向---的蚀刻是因为朝向衬底轰击的离子受到了负偏置衬底的加速作用,同时衬底表面发生着高蚀刻速率的化学反应.
离子轰击的协同效应增加了化学反应的速率(帮助反应物获得能量离开衬底表面 被真空系统抽走)
在ar+离子束与xef2的共同作用下硅的蚀刻速率明显比单独使用ar+离子束或xef2气体的蚀刻速率要快
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