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nf 3在等离子体中解离以产生高反应性原子氟自由基。这些自由基与衬底中的硅反应生成 sif 4，这是一种可以被抽走的挥发性气体。以这种方式从衬底蚀刻硅。化学蚀刻与湿蚀刻一样，是一种没有方向性的各向同性工艺（图 5）。其原因是反应物质的粘附系数相对较低，氮化镓材料刻蚀多少钱，因此与基材表面的大多数碰撞不会导致蚀刻，而是使反应物质简单解吸回气相。这种现象导致被蚀刻的特征内的蚀刻过程的平衡，并终导致蚀刻中的各向同性特征。
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其中ccp属于中密度等离子体，icp则属于高密度等离子体。ccp技术的发明早于icp，但由于其特点的不同，两类技术并非相互取代，而是相互补充的关系。ccp的等离子密度虽然较低，但能量较高，适合刻蚀氧化物、氮氧化物等较硬的介质材料；icp的等离子密度高，能量低，可以独立控制离子密度和能量，有更灵活的调控手段，适合刻蚀单晶硅、多晶硅等硬度不高或较薄的材料。
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各向---蚀刻使用了一系列被统称为“干”蚀刻的技术。干蚀刻可以通过物理方式去除材料，例如离子撞击伴随着材料从基板喷射或通过化学反应将基板材料转化为可以被抽走的挥发性反应产物。干蚀刻技术包括以下常用方法（无论蚀刻过程是通过化学蚀刻、物理蚀刻还是括号中所述的组合进行）：各向同性径向蚀刻（化学）、反应离子蚀刻（化学/物理）、溅射蚀刻（物理）、离子铣削（物理）、离子束辅助蚀刻（物理）、反应离子束蚀刻（化学/物理）。所有干蚀刻技术都是在真空条件下进行的，压力在一定程度上决定了蚀刻现象的性质。
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