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二氧化硅腐蚀后检查：
1、窗口内无残留sio2（去胶重新光刻）；
2、窗口内无氧化物小岛（去胶重新光刻）；
3、窗口边缘无过腐蚀（去胶重新光刻）；
4、窗口内无染色现象（报废）；
5、氧化膜无腐蚀（去胶重新光刻）；
6、氧化膜无划伤等（去胶重新光刻）。
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电子回旋加速振荡等离子体刻蚀设备主要应用于金属互连线、通孔、接触金属等环节。金属互连线通常采用铝合金，对铝的刻蚀采用氯基气体和部分聚合物。钨在多层金属结构中常用作通孔的填充物，通常采用氟基或氯基气体。
刻蚀通过与光刻、沉积等工艺多次配合可以形成完整的底层电路、栅极、绝缘层以及金属通路等。从难度上讲，硅刻蚀难，其次介质刻蚀，半导体材料刻蚀平台，的是金属刻蚀。
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干法刻蚀用于---的图形转移。目前我国刻蚀工艺以及刻蚀设备相对于光刻而言，已经能够达到较为---的水平。能够达到较高的刻蚀选择性、---的尺寸控制、低面比例依赖刻蚀和---的等离子体损伤。
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