氮化硅真空镀膜——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
近年来, dlc膜的制备工艺发展迅速,已经开发出多种制备方法,同时dlc薄膜真空镀膜设备市场需求也增大。这些方法大体分为两大类:物理气相沉积法( physical vapor deition简称pvd)、化学气相沉积法( chemical vapor deition简称cvd)及等离子增强化学气相沉积法(pecvd)。另外电解和聚合物热解是近年来出现的新方法
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磁控溅射真空镀膜设备常见的靶中i毒现象有:
(1)正离子堆积:靶中i毒时,靶面形成一层绝缘膜,正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡,不能直接进入阴极靶面,而是堆积在靶面上,容易产生冷场致弧光放电---打弧,使阴极溅射无法进行下去。
(2)阳极消失:靶中i毒时,接地的真空室壁上也沉积了绝缘膜,到达阳极的电子无法进入阳极,形成阳极消失现象。
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那么磁控溅射真空镀膜机怎样解决不均匀性的问题呢?
首先,氮化硅真空镀膜价钱,要尽量---磁场的均匀性和方向一致性,形成一个相对均匀的空间磁场。
其次,要尽量---气压上下的均匀性,真空腔体设计时,要考虑真空泵的安装位置,和工艺气体进气方式以及腔体内工艺气管的布局。
第三,由于磁场和气压都不可能理想,那么就可以通过气压的不均匀来补偿磁场不均匀,让终薄膜均匀一致。
第四,靶基距也是影响均匀性的重要因素。
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