硅柱材料刻蚀代工-半导体镀膜-湖南硅柱材料刻蚀

硅柱材料刻蚀——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

反应离子蚀刻

反应离子蚀刻（以下简称rie）使用了化学和物理反应来移除衬底表面的材料，它是能产生定向蚀刻的基本工艺

高度各向---的蚀刻工艺能够通过rie中伴随等离子化学反应蚀刻同时发生的带能离子轰击获得

rie工艺之所以能够获得高度各向---的蚀刻是因为朝向衬底轰击的离子受到了负偏置衬底的加速作用，硅柱材料刻蚀代工，同时衬底表面发生着高蚀刻速率的化学反应.

离子轰击的协同效应增加了化学反应的速率（帮助反应物获得能量离开衬底表面 被真空系统抽走）

在ar+离子束与xef2的共同作用下硅的蚀刻速率明显比单独使用ar+离子束或xef2气体的蚀刻速率要快

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si3n4刻蚀：

在903e刻蚀机中刻蚀，刻蚀机内通入的气体有：cf4、nf3、he。

刻蚀机理是： cf4电离***cf3+f*（氟自由基）

cf3电离***cf2+f*

cf2电离***cf1+f*

12f*+ si3n4***3si f4↑+2 n2↑

氟游离基的作用是使氮化硅被腐蚀，生成物是气体，被真空装置抽气抽走。为了加快腐蚀速率可以在cf4中加入少量氧气（5%-8%），硅柱材料刻蚀公司，因为氧能够抑制f*在反应腔壁的损失，并且：cf4+o2***f* +o*+cof*+cof2+co+…… （电离）

cof*寿命较长，当它运动到硅片表面时发生以下反应从而加速了腐蚀速率：

cof****f* co （电离）

但是氧气加多了要腐蚀光刻胶降低选择比。