半导体材料刻蚀——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
nf 3在等离子体中解离以产生高反应性原子氟自由基。这些自由基与衬底中的硅反应生成 sif 4,这是一种可以被抽走的挥发性气体。以这种方式从衬底蚀刻硅。化学蚀刻与湿蚀刻一样,是一种没有方向性的各向同性工艺(图 5)。其原因是反应物质的粘附系数相对较低,因此与基材表面的大多数碰撞不会导致蚀刻,半导体材料刻蚀外协,而是使反应物质简单解吸回气相。这种现象导致被蚀刻的特征内的蚀刻过程的平衡,并终导致蚀刻中的各向同性特征。
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业界有个简单的比喻:如果把芯片比作一幅平面雕刻作品,那么光刻机是打草稿的画笔,刻蚀机是雕刻刀,沉积的薄膜则是用来雕刻的基础材料。光刻的精度直接决定了电路的走向和尺寸,而刻蚀和薄膜沉积的精度则决定了光刻的尺寸能否实际加工。所以师傅用刀刻掉不用的部分,雕成想要的图形,像芯片工艺流程中的刻蚀,今天主要为大家分享刻蚀工艺。
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半导体材料刻蚀——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,半导体材料刻蚀加工工厂,以及行业应用技术开发。
具体步骤为:
1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(fuji film driwel)中浸泡10—15s,上下晃动,浸润剂(fuji film driwel)的作用是减小硅片的表面张力,使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触,从而达到充分腐蚀;
2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液(溶液)的槽中浸泡,上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分,腐蚀时间可以调整,湖北半导体材料刻蚀,直到二氧化硅腐蚀干净为止;
3、冲纯水;
4、甩干。
al上cvd腐蚀:
掺磷的sio2是磷硅玻璃,如果psg是长在铝上做钝化层,半导体材料刻蚀版厂家,这时采用二氧化硅腐蚀液腐蚀会伤及铝层,所以一般采用如下腐蚀液:冰:=2:3。具体步骤为:
1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(fuji film driwel)中浸泡10—15s;
2、将片架放入装有腐蚀液(冰:=2:3)的槽中浸泡,并且上下晃动片架;
3、将片架放入装有溶液(:纯水=1:1)的槽中浸泡;
4、在溢流槽中溢流冲水;
5、冲纯水;
6、甩干。
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