半导体光刻加工服务价格-广州半导体光刻加工-半导体光刻

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mems光刻工艺外协——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

这些氧化层在半导体器件中也有举足轻重的作用。比如说cmos器件中的重要结构：mos（金属-氧化物-半导体）结构中用于金属和半导体之间绝缘的“氧化物”层（或称栅氧），就是采用氧化工艺制备的。另外，用于隔离不同cmos器件的厚层氧化物场氧（field oxide）、soi器件中用于隔离衬底与器件的绝缘隔离层，都是采用氧化工艺实现的sio2材料。

氧化工艺的实现方法有多种，如热氧化、电化学阳极氧化等。其中常用的是热氧化法，即在高温（800～1200℃）下，利用纯氧或水蒸汽与硅反应生成sio2层。热氧化法又分为干法和湿法：干法只使用纯氧，形成较薄、较好的氧化层，但生长速度较慢。湿法使用纯氧和水蒸汽，形成较厚、密度较低的氧化层，但生长速度较快。不同类型和厚度的sio2可以满足不同功能和要求。