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由于离子垂直射向表面，垂直方向的蚀刻速率收到了---的增强，
此外由于离子与沟槽底面发生---的相互作用，优先地移除了阻碍反应发生的副产物，微流控材料刻蚀版厂家，
与此同时，侧墙上的沉积物/副产物降低了侧墙上的化学刻蚀速率，使刻蚀形貌接近垂直.
各向---获得的垂直角度在半导体制造工艺中定义稠密图形（细栅）时是---重要的
rie中的各向---蚀刻获得的角度与离子流的能量，角度分布和副产物的钝化性能间的平衡直接相关
入射离子能量和角分布与电场释放出朝向衬底的离子直接相关，
---的压力和更高的衬底偏置是控制离子能量（增加）和角度分布（较少）的关键
cxfy聚合物是一种常见的蚀刻气体
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刻蚀设备分类
目前主流所用的是干法刻蚀工艺，利用干法刻蚀工艺的叫等离子体刻蚀机。也分为三大类，分别是介质刻蚀机、硅刻蚀机、金属刻蚀机，这主要是因为电容性等离子体刻蚀设备在以等离子体在较硬的介质材料（氧化物、氮化物等硬度髙、需要髙能量离子反应刻蚀的介质材料；有机掩模材料）上，刻蚀通孔、沟槽等微观结构；电感性等离子体刻蚀设备主要以等离子体在较软和较薄的材料（单晶硅、多晶硅等材料）上，刻蚀通孔、沟槽等微观结构。
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刻蚀的定义与分类
如果说光刻是将图形转移到覆盖在半导体硅片表面的光刻胶上的过程。那么将图形再转移到光刻胶下面组成器件的各薄层上，我们称之为刻蚀，即选择性地刻蚀掉该薄层上未被掩蔽地部分。
刻蚀定义:用化学或物理方法有选择的从硅片表面去除不需要的材料的过程。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确的掩模图形。有图形的光刻胶层在刻蚀中不受腐蚀源---的侵蚀。这层掩蔽膜用来在刻蚀中保护硅片上特殊区域而选择性的刻蚀掉未被光刻胶保护的区域
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