材料刻蚀公司——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
在半导体制造中,蚀刻使用各种技术选择习惯地在衬底上移除薄膜,并且通过这一移除的过程在衬底表面形成了材料的图形,
光罩定义了图形的形状,这一图形定义过程称为显影,氮化镓材料刻蚀公司,
一旦光罩的图案被定义,没有被定义的部分即被蚀刻,这一过程我们称为湿法或者干法蚀刻
历,湿法蚀刻在图形定义中扮演了重要的角色,直到vlsi和ulsi时代,
随着关键尺寸变小&表面形貌变得更为重要,湿法蚀刻---法蚀刻所替代,
这一替代主要是因为湿法蚀刻是各向同性蚀刻,
湿法蚀刻从各个方向移除材料,因此导致了在衬底上的材料图形与掩膜图形不一致
相比lsi时代,vlsi与ulsi时代需要更精细的光罩来定义图形的关键尺寸,
此外,在---器件中需要高深宽比的图形,这需要各向---蚀刻
在---工艺中,湿蚀刻的底部过蚀刻是不可接受的,
这一问题导致湿法蚀刻更多地用于清洗工艺而不是蚀刻工艺,
只有器件需要较大的关键尺寸时(例如mems)才会使用湿法蚀刻,
各向---蚀刻使用一系列被称为干法蚀刻的技术,这些技术是vlsi和ulsi时代选择
干法蚀刻可以通过离子轰击物理性地移除衬底表面的材料
或者通过化学反应将衬底材料转换为不稳定的产物通过气泵抽走
干法蚀刻包含以下蚀刻方式(整个蚀刻过程中贯穿着化学蚀刻,物理蚀刻,或下述蚀刻方式的混合)
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多晶硅刻蚀:
在901e刻蚀机中刻蚀,刻蚀机内通入的气体有:sf6。
玻璃腐蚀:
1、 配制5%hf溶液,
配制腐蚀液:5%hf溶液:h2o=3:50;
2、常温下,将硅片放入腐蚀液中浸泡;
3、在溢流槽中冲洗;
4、冲纯水;
5、甩干。
湿法去胶:
铝淀积前去胶在sh去胶机(湿法腐蚀机)中进行,采用sh溶液将胶氧化的方法去胶,具体步骤为:
1、在sh清洗剂(98%h2so4:h2o2=3:1)中浸泡;
2、在温纯水中溢流冲水;
3、在溢流槽中溢流冲水;
4、甩干。
由于酸对铝有腐蚀作用,淀积铝后去胶就不能用酸,在此采用omr502剥离液去胶,在omr剥离清洗机中进行,具体步骤为:
1、在剥离液(omr-83剥离液)中浸泡去除光刻胶;
2、再在h-1清洗剂中浸泡去除剥离液;
3、在中浸泡去除h-1清洗剂;
4、冲纯水;
5、甩干。
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半导体蚀刻设备市场定义
蚀刻被认为是半导体制造周期中的重要工艺之一,因为该工艺消除了半导体表面的材料以根据其应用生成图案。半导体蚀刻设备市场的增长与半导体晶圆沉积和晶圆加工行业的增长成正比。市场范围涵盖湿式和干式两种类型的半导体蚀刻系统。
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