湖北材料刻蚀平台-半导体测试-硅孔材料刻蚀平台

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    2023-7-4

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在半导体器件制造中,蚀刻是指选择性地从衬底上的薄膜去除材料并通过这种去除在衬底上创建该材料的图案的技术。该图案由一个能够抵抗蚀刻过程的掩模定义,其创建过程在光刻中有详细描述。一旦掩模就位,就可以通过湿化学或“干”物理方法蚀刻不受掩模保护的材料。

从历看,湿化学方法在用于图案定义的蚀刻中发挥了重要作用,随着器件特征尺寸的减小,硅孔材料刻蚀平台,表面形貌变得关键,湿化学蚀刻让位于干蚀刻技术。这种转变主要是由于湿蚀刻的各向同性。

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干法刻蚀用于---的图形转移。目前我国刻蚀工艺以及刻蚀设备相对于光刻而言,已经能够达到较为---的水平。能够达到较高的刻蚀选择性、---的尺寸控制、低面比例依赖刻蚀和---的等离子体损伤。

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其中ccp属于中密度等离子体,icp则属于高密度等离子体。ccp技术的发明早于icp,但由于其特点的不同,两类技术并非相互取代,而是相互补充的关系。ccp的等离子密度虽然较低,但能量较高,适合刻蚀氧化物、氮氧化物等较硬的介质材料;icp的等离子密度高,能量低,可以独立控制离子密度和能量,有更灵活的调控手段,适合刻蚀单晶硅、多晶硅等硬度不高或较薄的材料。




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湖北材料刻蚀平台-半导体测试-硅孔材料刻蚀平台由广东省科学院半导体研究所提供。广东省科学院半导体研究所是一家从事“深硅刻蚀,真空镀膜,磁控溅射,材料刻蚀,紫外光刻”的公司。自成立以来,我们坚持以“诚信为本,---经营”的方针,勇于参与市场的良性竞争,使“半导体”品牌拥有------。我们坚持“服务,用户”的原则,使半导体研究所在电子、电工产品加工中赢得了客户的---,树立了---的企业形象。 ---说明:本信息的图片和资料仅供参考,欢迎联系我们索取准确的资料,谢谢!
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