电子束蒸发真空镀膜mems真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，青海电子束蒸发真空镀膜，以及行业应用技术开发。
pvd真空镀膜机和cvd镀膜机区别
薄膜沉积技术根据成膜机理的不同，主要分为物理、化学、外延三大工艺。物理气相沉积镀膜设备，简称pvd真空镀膜机。化学气相沉积镀膜机，简称为cvd镀膜机。
薄膜沉积技术是半导体、光伏等行业发展的关键工艺。薄膜沉积技术是指将在真空下用各种方法获得的气相原子或分子在基体材料表面沉积以获得离层被膜的技术。它既适合于制备超硬、耐蚀、耐热、化的机械薄膜，又适合于制备磁记录，电子束蒸发真空镀膜公司，信息存储、光敏、热敏、超导、光电转换等功能薄膜；此外，还可用于制备装饰性镀膜。近20年来，薄膜沉积技术得到了飞速发展，现已被广泛应用于机械、电子、装饰等领域。
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上面关于磁控溅射镀膜机的设备尺寸以及应用场景已经介绍完成了，那么这种设备在镀膜的时候应该是如何操作的呢？具体操作方法如下：
（1）在操作的时候，样品基片的压力值保持处于：负偏压 -200v。
（2）样品转盘：在基片转盘上有滚筒式样品架，其中两个工位开孔安装加热炉。
样品除了公转外，在镀膜位置实现双平方向x轴移动。基片的温度从室温至300℃（样品上表面的温度，只需标定一次即可）连续可调可控，但两个加热器需保持不同时工作，每次只有一个工作（一台加热控温电源），在真空下可轮流互换工作。样品转盘由步进电机驱动，计算机控制其公转---及样品自转；
（3）气路系统：流量控制器2路
（4）石英晶振膜厚控制仪的测量范围：0-999999，抽干空气可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统
（5）计算机控制系统的功能：对位移和样品公转速度随时间的变化做实时采集，对位移误差进行计算，以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换，可实现换位镀膜。
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而当工作气压过大时，沉积速率会减小，原因有如下两点:
(1)由于气体分子平均自由程减小，溅射原子的背反射和受气体分子散射的几率增大，而且这一影响已经超过了放电增强的影响。溅射原子经多次碰撞后会有部分逃离沉积区域，基片对溅射原子的收集效率就会减小，从而导致了沉积速率的降低。
(2) 随着ar气分子的增多，溅射原子与ar气分子的碰撞次数大量增加，这导致溅射原子能量在碰撞过程中---损失，致使粒子到达基片的数量减少，沉积速率下降。
3.6结论
通过试验，及对结果的分析可以得出如下结论:在其他参数不变的条件下，电子束蒸发真空镀膜平台，随着工作气压的增大，沉积增大后减小。在某一个工作气压下，有一个对应的大沉积率。
虽然以上工作气压与沉积率的关系规律只是在纯铜靶材和陶瓷基片上得到的，但对其他不
同靶材与基片的镀膜工艺研究也具有一定的参考价值。
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