mems材料刻蚀加工——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
刻蚀设备分类
目前主流所用的是干法刻蚀工艺,利用干法刻蚀工艺的叫等离子体刻蚀机。也分为三大类,分别是介质刻蚀机、硅刻蚀机、金属刻蚀机,这主要是因为电容性等离子体刻蚀设备在以等离子体在较硬的介质材料(氧化物、氮化物等硬度髙、需要髙能量离子反应刻蚀的介质材料;有机掩模材料)上,刻蚀通孔、沟槽等微观结构;电感性等离子体刻蚀设备主要以等离子体在较软和较薄的材料(单晶硅、多晶硅等材料)上,刻蚀通孔、沟槽等微观结构。
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在rie工艺中,离子携带------衬底表面原子化学键的能量,离子的冲击降低了化学蚀刻反应所需的活化能,并提高了衬底表面中性物质的反应速率
在确定的蚀刻化学中,反应副产物会在表面形成并在化学时刻中起到抑制作用,
带能离子可以通过物理溅射将被副产物覆盖的下层材料暴露出来,以使其继续进行化学蚀刻反应
因此rie有时也被称为离子增强蚀刻或反应和离子蚀刻
离子轰击表面的高指向性产生了高度的各向---蚀刻
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下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:
二氧化硅腐蚀:
在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,国内腐蚀机做的比较好的有广东省科学院半导体研究,腐蚀液是由hf、nh4f、与h2o按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和sio2掺杂情况。掺磷浓度越高,icp材料刻蚀厂家,腐蚀越快,掺硼则相反。sio2腐蚀速率对温度敏感,温度越高,腐蚀越快。
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