湖南真空镀膜代工-半导体研究所-mems真空镀膜代工

真空镀膜代工mems真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，ito镀膜真空镀膜代工，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

真空镀膜机溅射溅射工艺介绍

真空镀膜机溅射溅射工艺主要用于溅射刻蚀和薄膜沉积两个方面。溅射刻蚀时，被刻蚀的材料置于靶极位置，受离子的轰击进行刻蚀。刻蚀速率与靶极材料的溅射产额、离子流密度和溅射室的真空度等因素有关。溅射刻蚀时，应尽可能从溅射室中除去溅出的靶极原子。常用的方法是引入反应气体，使之与溅出的靶极原子反应生成挥发性气体，通过真空系统从溅射室中排出。沉积薄膜时，溅射源置于靶极，受离子轰击后发生溅射。如果靶材是单质的，则在衬底上生成靶极物质的单质薄膜；若在溅射室内有意识地引入反应气体，使之与溅出的靶材原子发生化学反应而淀积于衬底，便可形成靶极材料的化合物薄膜。

欢迎来电咨询半导体研究所哟~真空镀膜代工

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距离与速度及附着力

为了得到的沉积速率并提高膜层的附着力，在---不会破坏辉光放电自身的前提下，基片应当尽可能放置在离阴极近的地方。溅射粒子和气体分子(及离子)的平均自由程也会在其中发挥作用。当增加基片与阴极之间的距离，碰撞的几率也会增加，这样溅射粒子到达基片时所具有的能力就会减少。所以，为了得到的沉积速率和的附着力，基片必须尽可能地放置在靠近阴极的位置上。

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