等离子体增强气相沉积真空镀膜mems真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
(3) 启动机械泵,抽一分钟左右之后,打开复合真空计,当示数约为10e-1量级时,启动分子泵,频率为400hz (默认),同时预热离子清洗打开直流或射流电源及流量显示仪。
(4) (选择操作)打开加热控温电源。启动急停控制,报警至于通位置,功能选则为烘烤。
(5)当真空度达到5x 10-4pa时,等离子体增强气相沉积真空镀膜加工平台,关闭复合真空计,开启电离真空计,等离子体增强气相沉积真空镀膜厂商,通气(流量20l/min),打开气路阀,将流量计i拨至阀控档,稳定后打开离子源,依次调节加速至200v~250v,中和到12a左右,河北等离子体增强气相沉积真空镀膜,阳极80v;阴极10v,阳极300v。从监控程序中调出工艺设置文件,启动开始清洗。
(6)清洗完成后,按离子源参数调节相反的顺序将各参数归零,关闭离子源,将流量计ⅱ置于关闭档。
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离子束溅射装置中,由离子提供一定能量的定向离子束轰击靶极产生溅射。离子可以兼作衬底的清洁处理和对靶极的溅射。为避免在绝缘的固体表面产生电荷堆积,可采用荷能中性束的溅射。中性束是荷能正离子在脱离离子之前由电子中和所致。离子束溅射广泛应用于表面分析仪器中,对样品进行清洁处理或剥层处理。由于束斑大小有限,用于大面积衬底的快速薄膜淀积尚有困难。 等离子体溅射也称辉光放电溅射。产生溅射所需的正离子来源于辉光放电中的等离子区。靶极表面必须是一个高的负电位,正离子被此电场加速后获得动能轰击靶极产生溅射,同时不可避免地发生电子对衬底的轰击。
真空镀膜机磁控溅射工艺,也分好几种,主要有二级溅射、三级或四级溅射、磁控溅射、对靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称交流射频溅射、离子束溅射以及反应溅射等,选择哪一种溅射方法,具体要看镀什么工件,工件是什么材质,镀什么膜层而决定。
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同样,靶材块的晶体结构、颗粒结构、硬度、应力以及杂质等参数也会影响到溅射速率,而这些则可能会在产品上形成条状的缺陷。这也需要在镀膜期间加以注意。不过,这种情况只有通过更换靶材才能得到解决。
靶材损耗区自身也会造成比较低下的溅射速率。这时候,为了得到优良的膜层,必须重新调整功率或传动速度。因为速度对于产品是---的,所以标准而且适当的调整方法是提高功率。
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