硅柱材料刻蚀——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
在半导体制造中，蚀刻使用各种技术选择习惯地在衬底上移除薄膜，并且通过这一移除的过程在衬底表面形成了材料的图形，
光罩定义了图形的形状，这一图形定义过程称为显影，
一旦光罩的图案被定义，没有被定义的部分即被蚀刻，这一过程我们称为湿法或者干法蚀刻
历，湿法蚀刻在图形定义中扮演了重要的角色，直到vlsi和ulsi时代，
随着关键尺寸变小&表面形貌变得更为重要，湿法蚀刻---法蚀刻所替代，
这一替代主要是因为湿法蚀刻是各向同性蚀刻，硅柱材料刻蚀代工，
湿法蚀刻从各个方向移除材料，因此导致了在衬底上的材料图形与掩膜图形不一致
相比lsi时代，vlsi与ulsi时代需要更精细的光罩来定义图形的关键尺寸，
此外，在---器件中需要高深宽比的图形，这需要各向---蚀刻
在---工艺中，湿蚀刻的底部过蚀刻是不可接受的，
这一问题导致湿法蚀刻更多地用于清洗工艺而不是蚀刻工艺，
只有器件需要较大的关键尺寸时（例如mems）才会使用湿法蚀刻，
各向---蚀刻使用一系列被称为干法蚀刻的技术，这些技术是vlsi和ulsi时代选择
干法蚀刻可以通过离子轰击物理性地移除衬底表面的材料
或者通过化学反应将衬底材料转换为不稳定的产物通过气泵抽走
干法蚀刻包含以下蚀刻方式（整个蚀刻过程中贯穿着化学蚀刻，物理蚀刻，或下述蚀刻方式的混合）
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nf 3在等离子体中解离以产生高反应性原子氟自由基。这些自由基与衬底中的硅反应生成 sif 4，这是一种可以被抽走的挥发性气体。以这种方式从衬底蚀刻硅。化学蚀刻与湿蚀刻一样，是一种没有方向性的各向同性工艺（图 5）。其原因是反应物质的粘附系数相对较低，因此与基材表面的大多数碰撞不会导致蚀刻，而是使反应物质简单解吸回气相。这种现象导致被蚀刻的特征内的蚀刻过程的平衡，并终导致蚀刻中的各向同性特征。
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各向同性自由基蚀刻
高压等离子蚀刻通常在0.2-2torr的压力下进行.
材料蚀刻中化学过程相比物理过程会更多地发生辉光放电现象
应用于等离子蚀刻的压力会导致离子产生非常低的平均自由程以防止产生离子轰击
因此，当等离子蚀刻显示出相对较好的材料选择比的同时，蚀刻的化学性质相较各向---蚀刻主要体现各向同性蚀刻
这使得等离子蚀刻在vlsi和ulsi器件制造中仅有有限的应用，使用13.56mhz rf激发等离子体的筒形蚀刻机是这一蚀刻的典型代表
筒形蚀刻机这一早期技术通常使用在光阻剥离，各向同性氮化硅移除，太阳能电池的硅蚀刻以及等离子清洗
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