铁金属真空镀膜mems真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要---半导体产业发展的应用技术研究,---重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
在高压作用下ar原子电离成为ar+离子和电子,铁金属真空镀膜厂商,产生等离子辉光放电,电子在加速飞向基片的过程中,受到垂直于电场的磁场影响,使电子产生偏转,被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,电子以摆线的方式沿着靶表面前进,在运动过程中不断与ar原子发生碰撞,电离出大量的ar+离子,与没有磁控管的结构的溅射相比,离化率迅速增加10~100倍,因此该区域内等离子体密度---。
经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低,摆脱磁力线的束缚,终落在基片、真空室内壁及靶源阳极上。而ar+ 离子在高压电场加速作用下,与靶材的撞击并释放出能量,导致靶材表面的原子吸收ar+离子的动能而脱离原晶格束缚,呈中性的靶原子逸出靶材的表面飞向基片,并在基片上沉积形成薄膜。
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而当工作气压过大时,沉积速率会减小,原因有如下两点:
(1)由于气体分子平均自由程减小,溅射原子的背反射和受气体分子散射的几率增大,而且这一影响已经超过了放电增强的影响。溅射原子经多次碰撞后会有部分逃离沉积区域,基片对溅射原子的收集效率就会减小,从而导致了沉积速率的降低。
(2) 随着ar气分子的增多,溅射原子与ar气分子的碰撞次数大量增加,这导致溅射原子能量在碰撞过程中---损失,致使粒子到达基片的数量减少,沉积速率下降。
3.6结论
通过试验,及对结果的分析可以得出如下结论:在其他参数不变的条件下,随着工作气压的增大,沉积增大后减小。在某一个工作气压下,有一个对应的大沉积率。
虽然以上工作气压与沉积率的关系规律只是在纯铜靶材和陶瓷基片上得到的,但对其他不
同靶材与基片的镀膜工艺研究也具有一定的参考价值。
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上面关于磁控溅射镀膜机的设备尺寸以及应用场景已经介绍完成了,那么这种设备在镀膜的时候应该是如何操作的呢?具体操作方法如下:
(1)在操作的时候,样品基片的压力值保持处于:负偏压 -200v。
(2)样品转盘:在基片转盘上有滚筒式样品架,其中两个工位开孔安装加热炉。
样品除了公转外,在镀膜位置实现双平方向x轴移动。基片的温度从室温至300℃(样品上表面的温度,四川铁金属真空镀膜,只需标定一次即可)连续可调可控,但两个加热器需保持不同时工作,每次只有一个工作(一台加热控温电源),在真空下可轮流互换工作。样品转盘由步进电机驱动,计算机控制其公转---及样品自转;
(3)气路系统:流量控制器2路
(4)石英晶振膜厚控制仪的测量范围:0-999999,抽干空气可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统
(5)计算机控制系统的功能:对位移和样品公转速度随时间的变化做实时采集,对位移误差进行计算,以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换,可实现换位镀膜。
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