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干法刻蚀的步骤:刻蚀反应剂在等离子体中产生;反应剂以扩散的方式通过不流动的气体边界层到达表面;反应剂吸附在表面;随后发生化学反应,也伴随着离子轰击等物理反应,生成了可挥发性化合物;
后,这些化合物从表面解析出来,通过扩散回到等离子体气体中,然后由真空装置抽出。
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半导体在介质刻蚀领域较强,其产品已在包括台积电,sk海力士、中芯国际等厂商的20多条生产线上实现了量产。该公司5nm等离子体蚀刻机已通过台积电验证,已用于全i球首条5nm工艺生产线。
半导体还切入了tsv硅通孔刻蚀和金属硬掩膜刻蚀领域。
在硅刻蚀和金属刻蚀领域较强,半导体材料刻蚀价格,其55nm/65nm硅刻蚀机已成为中芯国际主力设备,该公司的28nm硅刻蚀机也已进入产业化阶段,14nm硅刻蚀机正在产线验证中,金属硬掩膜刻蚀机则攻破了28nm-14nm制程。
总而言之,在半导体设备领域,刻蚀机的国产化进程还是比较快的,但是,7nm刻蚀机的成功并不意味着国产7nm芯片可实现全i面量产。因为刻蚀的---道工序——光刻,其国产设备目前还处于卡脖子状态。因此,想要打造一个全制程国产化的 “芯”,各个工艺生产设备的齐头并进尤为重要。欢迎来电咨询半导体研究所了解更多材料刻蚀价格~
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芯片加工工艺
芯片制造分为前道工艺设备(晶圆制造)、后道工艺设备(封装与检测)等,前道的晶圆加工工艺包括氧化、扩散、退火、离子注入、薄膜沉积、光刻、刻蚀、化学机械平坦化(cmp)等。
氧化、退火工艺的主要作用是使材料的特定部分具备所需的稳定性质;
扩散、离子注入工艺的主要作用是使材料的特定区域拥有半导体特性或其他需求的物理化学性质;薄膜沉积工艺(包括ald、cvd、pcd等)的主要作用是在现有材料的表明制作新的一层材料,用以后续加工;
光刻的作用是通过光照在材料表面以光刻胶留存的形式标记出设计版图(掩膜版)的形态,为刻蚀做准备;
刻蚀的作用是将光刻标记出来应去除的区域通过物理或化学的方法去除,以完成功能外形的制造;
cmp工艺的作用是对材料进行表面加工,通常在沉积和刻蚀等步骤之后;
清洗的作用是清除上一工艺---的杂质或缺陷,为下一工艺创造条件;
量测的作用主要是晶圆制造过程中的把控。
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