山西半导体光刻技术-半导体研究所-半导体光刻技术定制

微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，半导体光刻技术实验室，以及行业应用技术开发。

光刻工艺对掩膜版的要求

光刻是芯片设计中的重要技术。它具体是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂将掩膜版上的图形转移到基片上的一种技术。那光刻工艺对掩膜版的要求：精度高、反差强、耐磨损、套刻准。

正性光刻胶一般在使用过程中都简称为正胶，在显影液中，半导体光刻技术服务，光刻胶的溶解度是非常高的。行业内普遍认为正性光刻胶具有---的对比度，生成的图形也具有---的分辨率。掩膜版也被称作是光刻版，上面又一层感光材料，使用过程中需要保持掩膜版的洁净。

在光刻掩膜版的工艺中，我们知道在光刻胶的下面是要被刻蚀形成图案的底层薄膜，山西半导体光刻技术，倘若这个底层是反光的，光线就有可能从这个膜层反射而且会损害临近的光刻胶，这个损害对线宽控制将会带来不好的影响。鉴于这种现象，抗反射层涂层有着很强的---性。底部的抗反射涂层分为邮寄抗反射涂层和无机反射涂层两种，两者相比，有机抗反射涂层更容易被去除。顶部的抗反射涂层由于不吸收光，一般是作为一个透明的薄膜干涉层，通过光线间的相干相消来消除反射。

欢迎来电咨询半导体研究所哟~