电极真空镀膜加工-台湾电极真空镀膜-半导体微纳

电极真空镀膜mems真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

微电子从40年代末的只晶体管(ge合金管)问世，50年代中期出现了硅平面工艺，此工艺不仅成为硅晶体管的基本制造工艺，也使得将多个分立晶体管制造在同在一硅片上的集成电路成为可能，随着制造工艺水平的不断成熟，使微电子从单只晶体管发展到今天的ulsi。

回顾发展历史，微电子技术的发展不外乎包括两个方面:制造工艺和电路设计，而这两个又是相互相成，互相促进，共同发展。

1.1半导体工业的诞生

·电信号处理工业始于上个世纪初的真空管，真空管使得收音机、电视机和其他电子产品成为可能。它也是_上台计算机的大脑。

·真空管的缺点是体积大、功耗大，电极真空镀膜代工，寿命短。当时这些问题成为许多科学家寻找真空管替代品的动力，这个努力在1947年12月23日得以实现。也就是只ge合金管的诞生。如图所示。

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可变参数

在溅射过程中，通过改变改变这些参数可以进行工艺的动态控制。这些可变参数包括:功率、速度、气体的种类和压强。

功率

每一个阴极都具有自己的电源。根据阴极的尺寸和系统设计，功率可以在0 ~ 150kw(标称值)之间变化。电源是一个恒流源。在功率控制模式下，功率固定同时监控电压，通过改变输出电流来维持恒定的功率。在电流控制模式下，固定并监控输出电流，这时可以调节电压。施加的功率越高，沉积速率就越大。

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