微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一
接触式光刻机，---时，光刻版压在涂有光刻胶的衬底上，优点是设备简单，分辨率高，没有衍射效应，缺点是光刻版与涂有光刻胶的晶圆片直接接触，每次接触都会在晶圆片和光刻版上产生缺陷，降低光刻版使用寿命，成品率低。
光刻胶是光刻工艺的材料：光刻胶又称光致抗蚀剂，它是指由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分构成的对光敏感的混合液体。
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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要---半导体产业发展的应用技术研究，---重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，半导体光刻技术工厂，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
在芯片制作过程中，如果有涉及掩膜光刻的工艺，就需要使用到光刻掩膜版。
具体需要几块掩膜版，根据终器件功能需求及芯片设计不同，需求数量也有不同。只需要一次光刻，制作也只需要1块光刻掩膜版，如需多次光刻，就要多块掩膜版。
无掩膜版光刻即不采用光刻掩膜版的光刻技术，主要分为两类，即带电粒子无掩膜光刻和光学无掩膜技术。
无掩膜光刻具备分辨率高、成本较低等优势，半导体光刻技术平台，同时也面临着生产效率低的问题。电子束之间的干扰易造成邻近效应，耗时长，激光束准确度不稳定，与现有成熟工艺兼容不够等都是想要进入量产阶段需要克服和解决的问题。
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光刻工艺对掩膜版的要求
光刻是芯片设计中的重要技术。它具体是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂将掩膜版上的图形转移到基片上的一种技术。那光刻工艺对掩膜版的要求：精度高、反差强、耐磨损、套刻准。
正性光刻胶一般在使用过程中都简称为正胶，在显影液中，光刻胶的溶解度是非常高的。行业内普遍认为正性光刻胶具有---的对比度，生成的图形也具有---的分辨率。掩膜版也被称作是光刻版，湖北半导体光刻技术，上面又一层感光材料，使用过程中需要保持掩膜版的洁净。
在光刻掩膜版的工艺中，半导体光刻技术技术，我们知道在光刻胶的下面是要被刻蚀形成图案的底层薄膜，倘若这个底层是反光的，光线就有可能从这个膜层反射而且会损害临近的光刻胶，这个损害对线宽控制将会带来不好的影响。鉴于这种现象，抗反射层涂层有着很强的---性。底部的抗反射涂层分为邮寄抗反射涂层和无机反射涂层两种，两者相比，有机抗反射涂层更容易被去除。顶部的抗反射涂层由于不吸收光，一般是作为一个透明的薄膜干涉层，通过光线间的相干相消来消除反射。
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